采用⁶⁰Co-γ预辐射接枝法将丙烯酸和丙烯酰胺先后接枝于超高分子量聚乙烯纤维上，随后用羟胺碱溶液对纤维进行氧肟化改性，制备出含氧肟酸基、酰胺基和羧基的超高分子量聚乙烯纤维吸附剂。扫描电子显微镜（SEM）图、傅里叶变换衰减全反射红外光谱（ATR-FTIR）谱图和热重曲线均表明，丙烯酰胺和丙烯酸成功接枝到纤维上，且氧肟化反应成功将酰胺基转化为氧肟基。重金属离子吸附性能测试结果表明：所制备的超高分子量纤维吸附剂对Cu(II)、Co(II)、Ni(II) 3种重金属离子吸附容量最高可达到318 mg/g、165 mg/g、140 mg/g（吸附质量浓度为500 mg/L，时间为4 h）；在竞争吸附实验中，对Cu(II)、Co(II)、Ni(II)离子的去除率分别为99.5%、43.5%、60.5%（Cu(II)、Co(II)、Ni(II)离子初始质量浓度均为200 mg/L，吸附剂用量为3 g/L）。

国画颜料解混一直是古画颜料研究的重要内容, 其中光纤反射光谱(FORS)是无损化探测颜料类别的常用手段。 通过CCD光纤光谱系统, 从光谱线型对国画颜料进行了分类, 分别探测了两种有机植物颜料藤黄和胭脂在不同比例混合下的漫反射光谱与吸收光谱, 并获取了不同色系无机矿物质颜料混合后的漫反射光谱。 分析了单一颜料和混合颜料的光谱特征峰值, 运用多元线性回归(MLR)以及一阶导数光谱法(FDS), 通过全波段线性解混获得了各组分颜料的比例。 经过实验与理论分析, 藤黄与胭脂的漫反射光谱为S型, 混合颜料一阶导数光谱中两特征峰的位置分别为536和649 nm, 在漫反射光谱中多元线性回归基本适用于该混合颜料的解混并显示出一定的线性规律, 但无法精确地解混。 而混合颜料的吸收光谱与单色光谱之间存在较好的线性关系, 解混误差在5%左右。 无机矿物质颜料中的漫反射光谱有S型(石黄和赭石)和钟型(石青和石绿)两种。 首先, 对于S型(石黄)与S型(赭石)混合颜料漫反射光谱, 赭石的一阶导数光谱出现明显的“三峰”现象, 并且混合颜料一阶导数光谱在534 nm处出现新的特征峰。 多元线性回归理论虽适用于该混合颜料的解混, 但由于不同颜料解混的权重因子不同, 无法形成较为精准的线性模型。 其次, 对于S型(赭石)与钟型(石绿)混合颜料的反射光谱需要多元线性回归与导数光谱法共同判断混合比例的基本趋势, 该光谱在400~800 nm范围内仅有一个交叉点。 最后, 利用钟型(石青)与钟型(石绿)混合颜料反射光谱的特征峰位置, 即可判断出颜料混合比例的特征, 随着混合比例的变化, 反射光谱特征峰在457~524 nm出现了明显的横向移动, 并且混合颜料光谱的峰值强度有明显的减弱。

针对中国散裂中子源kicker电源的闸流管，研制了基于大电流脉冲预电离和高压脉冲点火原理的双脉冲触发器，提高了闸流管的触发导通稳定性；同时研究了氢流、灯丝电流及预点火电流等参数对闸流管状态的影响；针对闸流管误漏触发现象，研制了基于单稳态及逻辑门电路构成的误漏触发检测电路，能够对闸流管的状态进行准确分析及预判；最后对kicker脉冲电源系统进行了年度分析总结。

通过研究均匀传输线特征阻抗失配原理，发现传输电缆特征阻抗失配会导致负载终端励磁电流幅值发生畸变。对电源主电路关键参数进行分析，发现均匀传输线匹配阻抗失配会造成磁铁处励磁电流幅值变小，上升时间变短。建立均匀传输线障碍点等效模型，推导出脉冲电源传输线障碍点处反射系数，对串联电阻和并联电阻障碍点深入分析，发现传输线特征阻抗失配，会导致匹配负载处有功功率减小。最后通过高压电缆被击穿故障使其得以验证。

为了获得Sm原子的第一电离阈，将Sm原子多步激发产生的光电离、自电离和场电离信号进行了区分，并研究了不同磁量子数Rydberg态Sm原子对第一电离阈的影响。首先，结合多步共振激发和偏振组合技术，将稀土Sm原子激发到第一电离阈附近具有特定磁量子数的自电离或束缚Rydberg态。接着，通过反向静电场将光电离和自电离等过程产生的离子推出作用区。然后，通过施加延时脉冲电场对束缚Rydberg态Sm原子进行探测。最后，通过改变静电场强度获得了Sm原子第一电离阈随着静电场强度的变化情况，拟合确定了零场下不同磁量子数Sm原子的第一电离阈。实验结果表明：Sm原子的第一电离阈为45519.69±0.17 cm⁻¹；该结果与用其它方法获得的结果进行了比较。实验验证了延时场电离探测技术用于测量Sm原子第一电离阈的有效性。